El nuevo procesador Snapdragon 835 de Qualcomm aumenta el rendimiento en un 27%.

El nuevo procesador Snapdragon 835 de Qualcomm aumenta el rendimiento en un 27%.

El próximo sistema insignia de Qualcomm en el chip será el Snapdragon 835 . La empresa presentó recientemente este procesador de nueva generación, que sustituye a los populares Snapdragon 821 y 820 que se encuentran en el hardware actual, junto con más de 200 diseños en el mercado para su actual gama de productos Snapdragon.

La empresa no reveló muchos detalles sobre la arquitectura de su nuevo chip. Esto es lo que sabemos hasta ahora sobre el procesador Snapdragon 835:

  • El chip está construido utilizando la tecnología Samsung FinFET de 10nm (nanómetro), lo que lo convierte en el primero de la industria en tecnología de proceso de semiconductores, en contraste con el proceso de 14nm utilizado en el 821.
  • El procesador está construido con nanomateriales-moléculas y átomos de menos de 100 nanómetros (nm) de tamaño que manifiestan propiedades diferentes a las de sus equivalentes de partículas más grandes: algunas de las características mejoradas de los nanomateriales incluyen un peso más ligero, mayor resistencia y mayor reactividad química.

Además, Samsung afirma que el proceso de 10 nm puede medir hasta cierto punto una combinación de un aumento del 30% en la eficiencia del área, un 27% más de rendimiento o un 40% menos de consumo de energía, presumiblemente con respecto a cargas de trabajo similares, en comparación con la serie Snapdragon 820 de la empresa de la generación anterior.

Estamos entusiasmados por seguir trabajando junto con Samsung en el desarrollo de productos que lideran la industria móvil», afirmó Keith Kressin, vicepresidente ejecutivo de administración de productos de Qualcomm Technologies. Inc. Se espera que el uso del nuevo nodo de proceso de 10 nm permita a nuestro procesador Snapdragon 835 de nivel superior ofrecer una mayor eficiencia energética y un mayor rendimiento, a la vez que nos permite añadir una serie de nuevas funciones que pueden mejorar la experiencia del usuario de los dispositivos móviles del futuro».

Qualcomm atribuye al nodo de 10 nm su tecnología de carga rápida , que es una función ideada para obtener el máximo voltaje y corriente a través de los cables USB a fin de mejorar la eficiencia energética y el rendimiento general del dispositivo. Pero ninguna característica poderosa viene sin sus propias limitaciones y para esta en particular, es la señalización no estándar y el uso no estándar de las conexiones en un cable USB, lo que se sabe que plantea varios problemas de incompatibilidad.

Además, se afirma que la tecnología de carga rápida ofrece tiempos de carga un 20% más rápidos junto con la capacidad de proporcionar hasta 5 horas de duración de la batería en sólo 5 minutos de carga.Qualcomm ha basado su afirmación en las pruebas internas de una batería de 2750 mAh, que es una batería de tamaño estándar para el smartphone premium promedio disponible actualmente en el mercado.

Los chips Snapdragon 835 de Qualcomm aparecerán en el mercado a principios del próximo año.

Deja un comentario